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EVQ18028-R-00A

100V、8A、高频半桥栅极驱动器评估板

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EVQ18028-R-00A

EVQ18028-R-00A

100V、8A、高频半桥栅极驱动器评估板

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评估板EVQ18028-R-00A用于演示高频半桥栅极驱动器 MPQ18028-AEC1 的各项功能。在 12V 驱动电源电压 (V_DD)下，MPQ18028-AEC1 具有 7A 拉电流(I_SOURCE) 和 8A 灌电流(I_SINK)。

该器件集成自举（BST）二极管，可减少所需的外部元件数量。其上管 MOSFET 和下管 MOSFET（HS-FET 和 LS-FET）驱动器可独立控制，且匹配延时<5ns。若 IC 供电不足，HS-FET 和 LS-FET 可通过欠压锁定（UVLO）保护功能将输出强制拉低。

MPQ18028-AEC1 专为电机驱动器及其他功率控制应用而设计，例如，电信半桥电源、航空电子 DC/DC 变换器、双开关正激变换器以及有源钳位正激变换器等。

该器件采用小尺寸 QFN-8 (4mm x 4mm) 封装，并符合 AEC-Q100 等级1 认证。

EVQ18028-R-00A 可配置为降压变换器。INH 和 INL 引脚提供独立信号，但需选择互补的脉宽调制 (PWM) 信号，并设定适当的死区时间 (DT)。

评估所用产品

100V、高频半桥栅极驱动器，符合 AEC-Q100 认证

产品特性和优势

驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
低压差设计，具备 4.5V 下降阈值的欠压锁定（UVLO）保护
120V 自举（BST）电压 (V_BST) 范围
集成片上BST二极管
20ns典型传播延迟
开关频率(f_SW)高达 2MHz
栅极驱动器匹配延迟小于 5ns
兼容 TTL（晶体管-晶体管逻辑）电平输入
静态电流 (I_Q)低于 150µA
上管（HS）和下管（LS）栅极驱动器均具备 UVLO 功能
采用 QFN-8 (4mmx4mm) 封装
符合 AEC-Q100 等级1 认证

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EVQ18028-R-00A

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