隔离栅极驱动器

灵活设计
适合 MOSFET、IGBT、SIC 和 GaN 器件
高功率密度
高 CMTI、短传播延迟、保护功能、小型封装
高隔离鲁棒性
各种隔离额定值,扩展到增强隔离

MPS 的隔离栅极驱动器产品提供出色的系统保护,可实现较高的隔离鲁棒性和功率密度设计。我们的产品可以最佳方式驱动电源开关器件,具有短传播延迟和脉宽失真特性。通过利用 MPS 的专有容性隔离技术和高级功能,这些驱动器在各种电源应用中具有高效率、高功率密度和鲁棒性。


参数显示栏
状态
Isolation Rating (kVrms)
Configuration Type
Channel No.
最小共模瞬态抗扰度 kV/us
Power Switch Type
峰值输出电流(A)
UVLO (V)
Input VDDI (V)
Driver Output (V max)
封装
MPL
Isolation Rating (kVrms)
Configuration Type
Channel No.
最小共模瞬态抗扰度 kV/us
Power Switch Type
峰值输出电流(A)
UVLO (V)
Input VDDI (V)
Driver Output (V max)
封装
2.5
3
5
Dual-Input Half-Bridge
Dual-Input, Independent Dual-Channel
PWM Input Half-Bridge
2
100
GaNFET
IGBT
MOSFET
SiCFET
4
3
5
8
10
12
2.8 - 5.5
30
LGA-13
SOIC-16 NB
SOIC-16 WB
Has MPL
MP18831
预发布新品

隔离式双输入控制高低端半桥栅极驱动器

2.5, 3, 5 Dual-Input Half-Bridge 2 100 GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET 4 3, 5, 8, 10, 12 2.8 - 5.5 30 LGA-13, SOIC-16 NB, SOIC-16 WB 0
MP18851
预发布新品

隔离式双输入控制、独立双通道栅极驱动器

2.5, 3, 5 Dual-Input, Independent Dual-Channel 2 100 GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET 4 3, 5, 8, 10, 12 2.8 - 5.5 30 LGA-13, SOIC-16 NB, SOIC-16 WB 0
MP18871
预发布新品

隔离式 PWM 输入控制、高低端半桥栅极驱动器

2.5, 3, 5 PWM Input Half-Bridge 2 100 GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET 4 3, 5, 8, 10, 12 2.8 - 5.5 30 LGA-13, SOIC-16 NB, SOIC-16 WB 0
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