EVQ1923-RE-00A
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EVQ1923-RE-00A 是用于展示 MPQ1923功能的评估板。MPQ1923 是一款高频半桥栅极驱动器,它在 12V 驱动电源电压 (VDD) 下具有 7A 拉电流 (ISOURCE) 和 8A 灌电流 (ISINK)。
MPQ1923具有集成自举 (BST) 二极管,这减少了外部元器件的使用数量。该器件的上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET) 驱动器可独立控制,且匹配时延小于5ns。如果 IC 电力不足,HS-FET 和 LS-FET 的欠压锁定 (UVLO) 保护功能将强制拉低输出。
MPQ1923 专为电机驱动器和其他电源控制应用而设计,例如电信半桥电源、航空电子设备 DC/DC 变换器、双开关正激变换器和有源钳位正激变换器。
MPQ1923 采用小尺寸 QFN-10 (4mmx4mm) 和 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。
EVQ1923-RE-00A 被配置为降压变换器。其INH引脚和 INL 引脚提供独立信号。需要为 INH 和 INL 选择补偿脉宽调制 (PWM) 信号和适当的死区时间 (DT)。
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评估所用产品
产品特性和优势
- 可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 具有4.5V 欠压锁定 (UVLO) 下降阈值的低压差
- 120V 自举电压 (VBST) 范围
- 片上自举二极管
- 20ns 典型传播延迟
- 12V VDD条件下具有8A 灌电流 (ISINK)和7A 拉电流 (ISOURCE)
- 栅极驱动器匹配时延<5ns
- 12V VDD条件下能以7.2ns 上升时间 (tRISE) 和 5.5ns 下降时间 (tFALL) 驱动 1nF 负载
- TTL 兼容输入
- 静态电流 (IQ) <300μA
- HS-FET 和 LS-FET 栅极驱动器具备 UVLO 保护
- 采用QFN-10 (4mmx4mm) 和 QFN-8 (4mmx4mm) 封装
- 符合AEC-Q100 等级1认证
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