MP1923

MP1923

100V、8A 高效率半桥栅极驱动器

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MP1923 是一款高频率、N 沟道 MOSFET、半桥栅极驱动器。该器件的下管 MOSFET (LS-FET) 和上管 MOSFET (HS-FET) 驱动器通道可独立控制，且匹配时延小于 5ns。

在电力不足的情况下，MP1923 的 HS-FET 和 LS-FET 欠压锁定 (UVLO) 保护功能将强制拉低输出。该器件还集成了自举 (BST) 二极管，减少了外部元器件的使用数量。

MP1923 采用 QFN-10 (4mmx4mm)、QFN-8 (4mmx4mm) 或 SOIC-8 封装。

产品特性和优势

可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
具有 5V 欠压锁定 (UVLO) 下降阈值的低压差
120V 自举电压 (V_BST) 范围
集成自举二极管
20ns 典型传播延迟
12V V_DD条件下具备 8A 灌电流、7A 拉电流
栅极驱动器匹配时延 < 5ns
12V V_DD条件下能够以 2ns 上升时间 (t_RISE) 和 5.5ns 下降时间 (t_FALL) 驱动 1nF 负载
可兼容 TTL 输入
静态电流 (I_Q) < 300μA
HS-FET 和 LS-FET 栅极驱动器欠压锁定（UVLO）保护
采用 QFN-10 (4mmx4mm)、QFN-8 (4mmx4mm) 和 SOIC-8 封装

正在供货产品型号

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