EVQ1925-R-00A
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EVQ1925-RE-00A 评估板用于展示 MPQ1925HR的功能。 MPQ1925HR 是一款高频半桥栅极驱动器,它在 12V VDD条件下具有 3A 拉电流和 4.5A 灌电流能力,且静态电流 (IQ) 低于 150μA。
MPQ1925HR 集成自举 (BST) 二极管减少了外部元器件的使用数量,同时可以独立控制下管 MOSFET (LS-FET) 和上管 MOSFET (HS-FET) 驱动通道,匹配时延小于 5ns。在电源不足的情况下,MPQ1925HR的 上下管MOSFET欠压锁定 (UVLO) 保护会强制拉低输出。
MPQ1925HR 采用小尺寸 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。它专为电机驱动和其他电源控制应用而设计,例如电信半桥电源、航空电子设备 DC/DC 变换器、双开关正激变换器和有源钳位正激变换器。
EVQ1925-R-00A 可配置为降压变换器。INH 和 INL 为独立信号,需要互补脉宽调制 (PWM) 和适当的死区时间 (DT)。
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评估所用产品
产品特性和优势
- 可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 片上自举 (BST) 二极管
- 自举电压 (VBST) 最高达115V
- 20ns 典型传播延迟
- 栅极驱动匹配时间:<5ns
- 在 12V VDD条件下可驱动2.2nF 负载,具备15ns 上升时间和 10ns 下降时间
- 兼容晶体管-晶体管逻辑 (TTL)输入
- 静态电流 (IQ): <150μA
- 上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET) 欠压锁定 (UVLO) 保护
- 采用 QFN-8 (4mmx4mm) 封装
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