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GaN 驱动器

独立控制
独立上管与下管逻辑输入
卓越性能
HS-FET浮动偏置电压轨支持高达 100VDC 的工作电压
高效率
特有自举充电技术

MPS GaN 驱动器专为驱动增强型氮化镓（GaN）MOSFET 和低栅极电压 N 沟道 MOSFET而设计，适用于半桥或同步应用。这些驱动器采用 MPS 特有自举（BST）技术来提供上管 MOSFET（HS-FET）所需的驱动电压，且工作电压可高达 100V。BST 充电技术可确保 HS-FET 驱动电压不超过电源电压 (VCC)，从而防止栅极电压 (VGATE) 超出增强型 GaN MOSFET 的最大栅源电压 (VGS) 额定值。



参数显示栏
状态
MPS库存
最小供电电压（V）
最大供电电压（V）
VPWM (V)
Driver Channel
上升时间（ns）
下降时间（ns）
Pull-Down/Pull-Up Resistance (Ω)
封装
特性
MPSafe
MPL
Product URL
重置表
最小供电电压（V）
最大供电电压（V）
VPWM (V)
Driver Channel
上升时间（ns）
下降时间（ns）
Pull-Down/Pull-Up Resistance (Ω)
封装
特性
MPS
Half-Bridge
WLCSP-12L (2x2)
Excellent Propagation Delay Matching (Typically 1.5ns)
Fast Propagation Time (Typically 17ns)
HS-FET Floating Bias Voltage Rail Operates Up to 100VDC
Independent High-Side (HS) and Low-Side (LS) Logic Inputs
Is MPSafe Has MPL Product URL
     
MP8699B
正在供货

半桥GaN MOSFET驱动器

 购买 4.5 5.5 5 Half-Bridge 10 3 5 WLCSP-12L (2x2)
Excellent Propagation Delay Matching (Typically 1.5ns), Fast Propagation Time (Typically 17ns), HS-FET Floating Bias Voltage Rail Operates Up to 100VDC, Independent High-Side (HS) and Low-Side (LS) Logic Inputs
1 0 https://www.monolithicpower.cn/cn/products/mp8699b.html
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