EVHFG612-2-MP9985-00A
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EVHFG612-2-MP9985-00A 评估板用于展示 HFG612 的功能特性。HFG612 是一款集成 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器,适用于高性能、高频设计。该系列器件的关键特性是采用了无损电流采样技术,该技术省去了外部采样电阻,从而保证了更高的工作效率。
HFG612是基于副边调节 (SSR) 的原边稳压器,必须与副边反馈电路配合使用。该器件能够根据不同的输入和输出条件智能切换工作模式(CCM/QR/DCM),从而实现宽功率范围内的高效率。
HFG612 集成高压启动电路和 X 电容放电电路,并在突发模式(burst mode)下具备超低静态电流(IQ),其待机功耗可小于 30mW。
HFG612 采用 MPS 专有谷值锁定技术;该技术可在稳态运行期间抑制谷底跳变,从而彻底消除可闻噪声。
该器件还具备宽电源电压(VCC)范围,无需增加辅助绕组,即可适应宽输出电压(VOUT) r范围的各种应用场景。
MP9985 是一款专为反激式变换器设计的快速关断智能整流器,内部集成了 100V/10mΩ MOSFET。它可以替代二极管整流器,实现更高的效率和功率密度。该器件能够将内部功率 MOSFET 的正向压降 (VFWD) 调节至 40mV,并在漏源电压 (VDS) 反流之前关断。
MP9985 无需辅助绕组即可生成自身工作电压,因此非常适合对输出电压 VOUT 要求不高的充电器应用,以及其他采用高侧配置的适配器应用。其内部集成的振铃检测电路还可防止 MP9985 在 DCM 或 QR 模式下发生误导通。
EVHFG612-2-MP9985-00A 评估板提供了一种通用离线式隔离电源的参考设计,支持 20V/3.25A、15V/3A、12V/3A、9V/3A 或 5V/3A 输出。数据手册中包含电源的完整规格参数、详细电路图、构建电源所需的完整物料清单、变压器图纸以及性能测试数据。
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产品特性和优势
- 集成 100V/10mΩ MOSFET
- 低至 0V的宽输出电压 (VOUT) 范围
- 无需辅助绕组即可实现高侧 (HS) 或低侧 (LS) 整流
- 支持非连续导通模式 (DCM)、连续导通模式 (CCM) 和准谐振 (QR) 运行
- 具备振铃检测功能,可防止 DCM 模式下的误导通
- 符合能源之星(Energy Star)标准
- 150μA 静态电流 (IQ)
- MP9985:采用 SOIC-8 封装
- 带电流采样 (CS) 功能的 700V GaN HEMT
- 自适应 CCM/QR/DCM 模式切换
- 创新 QR 控制技术,可消除可闻噪声
- 具备频率折返和突发模式 (Burst Mode),可降低轻载功耗
- 超宽电源电压(VCC) 范围,支持 USB 供电(PD)应用
- 内置 X 电容放电电路
- 内置高压启动电路
- 驱动能力可调,以支持 QFN-27 (7mmx7mm) 和 QFN-28 (5mmx6mm) 封装
- 搭配 PD 协议芯片时,具有超低待机功耗 (<30mW)
- 峰值电流模式控制、过功率补偿及前沿消隐 (LEB)
- 丰富的保护功能:VCC 过压保护 (VCCOVP)、原边采样输出过压/欠压保护 (ZCD OVP/UVP)、输出过载保护 (OLP)、电流采样引脚开路/短路保护 (SOP/SSP)、输入过压保护 (HV OVP)、内部过温关断 (OTP) 及外部保护关断 (PEP)
- HFG612:采用 QFN-27 (7mmx7mm)、QFN-28 (5mmx6mm) 和 SOIC14-9 封装
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