HFG612是一款集成了 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器，适用于高性能和高频设计。该系列器件的关键特性是采用了无损电流采样技术，该技术省去了外部采样电阻，从而保证了更高的效率。

HFG612是基于副边调节 (SSR) 的原边稳压器，必须与副边反馈电路配合使用。该器件能够根据不同的输入和输出条件智能切换工作模式（CCM/QR/DCM），从而实现宽功率范围内的高效率。

HFG612 集成高压启动电路和 X 电容放电电路，并在突发模式（burst mode）下具备超低静态电流(I_Q) ，其待机功耗可小于 30mW。

HFG612 采用 MPS 特有谷值锁定技术；该技术可在稳态运行期间抑制谷底跳变，从而彻底消除可闻噪声。它具备宽电源电压 (V_CC) 范围，无需增加辅助绕组，即可适应宽输出电压 (V_OUT) 范围的各种应用场景。

HFG612 还具备多种先进保护功能，包括原边采样输出过压保护和欠压保护 (ZCD OVP/UVP) 、V_CC 过压保护(V_CC OVP)、输出过载保护 (OLP)、电流采样开路/短路保护 (SOP/SSP)、输入过压保护(HV OVP)、内部过温关断 (OTP) 和外部保护关断 (PEP)。

HFG612采用 QFN-27 (7mmx7mm)、QFN-28 (5mmx6mm)或SOIC14-9封装。