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HFC0650
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HFC0650是一款高度集成的准谐振(QR)反激式控制器,适用于高性能和高频设计。与传统的QR反激控制器不同,HFC0650的频率折返功能可确保器件在整个负载范围内保持高效率。其内部集成的最大栅极电压 (VGATE) 钳位功能,可直接驱动增强型氮化镓场效应晶体管(e-mode GaN FET)。
它是一款基于副边调节(SSR)的原边控制器,需配合副边反馈电路工作。它所具有的更高工作频率可减小无源元件尺寸,实现更高的功率密度。该器件集成了高压启动电路、X电容放电电路,并在突发模式下具有超低静态电流 (IQ) ,空载功耗可低于30mW。
HFC0650采用专有谷值锁定技术,以抑制稳态工作时谷底之间的跳变,从而消除可闻噪声。此外,该器件还具有宽VCC电压 (VCC) 范围,因此适用于需要宽输出电压 (VOUT) 范围的应用,且无需额外的辅助绕组。
HFC0650还提供先进的保护功能,包括:原边采样输出过压保护(ZCD OVP)、原边采样输出欠压保护(ZCD UVP)、VCC过压保护、输出过载保护(OLP)、内部Brown-in/Brown-out过压/欠压保护(BI/BO)、短路保护(SCP)、电流采样开路和短路保护(CSOP和CSSP)、内部过温保护(OTP)、外部过温保护(EOTP)以及欠压锁定(UVLO)保护。
HFC0650采用SOIC8-7A封装。
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产品特性和优势
- 频率高达 300kHz
- 直接驱动增强模式 GaN FET
- 创新的专有准谐振 (QR) 控制,可消除可闻噪声
- 频率折返功能和突发模式,可实现轻载低功耗
- 超宽 VCC 电压 (VCC) 范围,支持 USB 供电 (PD) 应用
- 内置 X 电容放电器
- 内置高压启动电路
- 超低待机功耗,带 PD 协议 IC (<30mW)
- 峰值电流模式控制、线路补偿和前沿消隐时间
- 欠压锁定 (UVLO)保护、过压保护 (VCC OVP)、输出 ZCD OVP、原边采样输出欠压保护 (ZCD UVP)、输出过载保护 (OLP)、内部Brown-in/Brown-out过压/欠压保护 (BI/BO)、短路保护 (SCP)、电流采样开路和短路保护(CSOP 和 CSSP)、过温保护 (OTP) 和外部 OTP (EOTP)
- 采用 SOIC8-7A 封装

正在供货产品型号
HFC0650GS-Z HFC0650GS-P
以 P 和 Z 结尾的零件编号是相同的零件。P 和 Z 仅表示卷筒尺寸
P&Z的含义
HFC0650 Resources
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