- MP591C3
MP591C3
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- 最小输入电压（V）2.95
- 最大输入电压（V）16
- 最大输出电流（A）16
- 电流限（A）Configurable
- 典型静态电流（µA）1100
- 通道1
- 使能Active High
- 故障标记（信号）过流保护, 过温保护, Over-Voltage Protection (OVP), 短路保护, Under-Voltage Protection (UVP)
- 导通阻抗（mΩ）6
- 变化斜率控制Yes
- 等级目录
- 封装TLGA-25 (4x4)
MP591C3 是一款采用背靠背 FET 架构的全集成紧凑型热插拔保护器件。它集成了热插拔控制器和两个上管背靠背功率 MOSFET（HS-FET），可作为独立器件运行。该器件支持高达 16A 的连续输出电流(IOUT)。
当电路板插入带电背板电源时， MP591C3通过限制流向负载的浪涌电流来减小背板压降。MP591C3还具备反向电流阻断功能，可防止电流从输出端(VOUT) 流向输入端 (VIN)。它利用电流限制(IFET) 基准输入和软启动（SS）斜坡控制栅极电压(VGATE)，从而限制内部 MOSFET 电流 (ILIMIT) 。
MP591C3 具备多项简化系统设计的功能，例如集成电流镜以监测IOUT，以及集成片上温度采样功能。这省去了外部电流采样（CS）功率电阻、功率 MOSFET 和温度采样器件的需求。
MP591C3还具备丰富的故障保护功能，包括 VIN 过压保护（OVP）、IOUT 过流保护（OCP）、短路保护（SCP）和过温保护（OTP）。故障状态可通过故障报告输出引脚（FLTB）来指示。
MP591C3 采用 TLGA-25 (4mmx4mm) 封装。
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产品特性和优势
- 2.95V 至 16V 输入工作电压 (VIN)范围
- 16A最大输出电流(IOUT)
- 内置6mΩ 背靠背架构功率 MOSFET
- 反向电流阻断功能
- ±1% IMON 报告精度
- 内置 MOSFET 驱动器
- 集成电流采样功能
- 可配置过流 (OC) 限制
- 内置插入延迟
- 可配置软启动 (SS)
- 故障信号输出 (FLTB)
- VIN过压保护 (OVP)、短路保护 (SCP)、过流保护 (OCP) 和过温保护 (OTP)，支持锁存或打嗝模式选项
- Intelli-Fuse 结温 (TJ) 监控
- 采用 TLGA-25 (4mm x 4mm) 封装
正在供货产品型号
MP591C3GLRT-Z MP591C3GLRT-P
以 P 和 Z 结尾的零件编号是相同的零件。P 和 Z 仅表示卷筒尺寸
P&Z的含义
MP591C3 Resources
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PRODUCT CATEGORY
VIN（最大）8V 至 48V产品类目 -
APPLICATION
5G 电源解决方案应用 -
APPLICATION
MPS电子开关解决方案应用 -
APPLICATION
服务器（核供电）数据中心解决方案应用云计算、人工智能（AI）、机器学习以及其他一些革命性技术正在整个行业中扩展开来，并已融入了消费者的日常生活中。然而，要满足这些技术不断增长的数据和处理需求，服务器和数据中心需要具备前所未有的速度。在不降低效率或可靠性的前提下，不断缩小的占板空间内需要容纳史无前例的高功率密度。核心电压轨必须能够提供卓越的速度、保护功能和灵活性，以跟上不断增长的需求。 MPS多样化的解决方案在保证效率的同时，能保持较低的整体系统成本。其散热管理专为高密度、高耗电的服务器而设计，能够节约能源并优化输出。MPS专有的Intelli-PhaseTM技术可保持并提高每个新设计的性能。这些可扩展的解决方案还提供了热插拔功能和先进的FET技术，可帮助简化设计，实现节省空间的封装。MPS创新的产品实现了强大的功能、速度与效率，可充分满足您的服务器设计需求。
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