- MP591P1
MP591P1
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- 最小输入电压（V）2.9
- 最大输入电压（V）16
- 最大输出电流（A）60
- 电流限（A）Configurable
- 典型静态电流（µA）3400
- 通道1
- 使能Active High
- 故障标记（信号）受损MOSFET检测, Maximum SS Fault, 过流保护, 过温保护, Over-Voltage Protection (OVP), 短路保护, Under-Voltage Protection (UVP)
- 导通阻抗（mΩ）0.79
- 变化斜率控制Yes
- 等级目录
- 封装LGA-33 (5x5)
MP591P1是一款全集成热插拔保护器件。它集成了一个热插拔控制器和一个上管功率 MOSFET（HS-FET），可作为独立器件运行。该器件支持并联运行以满足大电流应用的需求。在室温下，单个器件即可实现高达 60A 的连续输出电流(IOUT) 。
当电路板插入带电背板电源时， MP591P1通过限制流向负载的浪涌电流来减小背板压降。此外，它利用电流限制(IFET) 基准输入和软启动（SS）斜坡控制栅极电压 (VGATE) ，从而限制内部 MOSFET 电流(ILIMIT) 。
MP591P1具备多项可简化系统设计的功能，例如集成电流镜以监控IOUT ，以及集成片上温度采样功能。这省去了对外部电流采样（CS）功率电阻、功率 MOSFET 和温度采样器件的需求。
MP591P1还具备丰富的故障保护功能，例如输入电压(VIN) 过压保护（OVP）、IOUT 过流保护（OCP）、短路保护（SCP）以及过温保护（OTP）。它能够检测功率 MOSFET 栅极、源极和漏极之间的短路状况。故障状态可通过故障报告输出引脚（FLTB）进行指示，同时还提供电源正常（PG）指示功能。
MP591P1 采用LGA-33 (5mmx5mm) 封装。
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产品特性和优势
- 2.9V 至 16V 工作输入电压 (VIN)范围
- 最大 60A 输出电流 (IOUT)
- 集成 0.79mΩ 功率 MOSFET
- ±1% IMON 报告精度
- 内置 MOSFET 驱动器
- 集成电流采样 (CS) 及采样输出功能
- 可配置过流 (OC) 限制
- 内置插入延迟
- 可配置软启动 (SS)
- 内置熔丝健康状态报告
- 故障信号输出 (FLTB)
- 电源正常 (PG) 指示
- 故障类型指示 (FLT_TYPE)
- 输出放电功能输出放电功能
- 具备锁存关断 (Latch-Off) 和打嗝模式 (Hiccup Mode) 的保护功能
- Intelli-Fuse结温 (TJ) 监测
- 采用 LGA-33 (5mm x 5mm) 封装
正在供货产品型号
MP591P1GLUT-Z MP591P1GLUT-P
以 P 和 Z 结尾的零件编号是相同的零件。P 和 Z 仅表示卷筒尺寸
P&Z的含义
MP591P1 Resources
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PRODUCT CATEGORY
VIN（最大）8V 至 48V产品类目 -
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5G 电源解决方案应用 -
APPLICATION
MPS电子开关解决方案应用 -
APPLICATION
服务器（核供电）数据中心解决方案应用云计算、人工智能（AI）、机器学习以及其他一些革命性技术正在整个行业中扩展开来，并已融入了消费者的日常生活中。然而，要满足这些技术不断增长的数据和处理需求，服务器和数据中心需要具备前所未有的速度。在不降低效率或可靠性的前提下，不断缩小的占板空间内需要容纳史无前例的高功率密度。核心电压轨必须能够提供卓越的速度、保护功能和灵活性，以跟上不断增长的需求。 MPS多样化的解决方案在保证效率的同时，能保持较低的整体系统成本。其散热管理专为高密度、高耗电的服务器而设计，能够节约能源并优化输出。MPS专有的Intelli-PhaseTM技术可保持并提高每个新设计的性能。这些可扩展的解决方案还提供了热插拔功能和先进的FET技术，可帮助简化设计，实现节省空间的封装。MPS创新的产品实现了强大的功能、速度与效率，可充分满足您的服务器设计需求。
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