90A, Intelli-PhaseTM解决方案，采用Quiet SwitcherTM 技术和TLGA-34 (4mmx6mm)封装

90A Intelli-PhaseTM DrMOS解决方案，采用 Quiet SwitcherTM 技术 (QSTTM) 和 TLGA-34 (4mmx6mm) 封装

双路90A Intelli-PhaseTM解决方案，采用LGA-40 (6mmx6mm)封装

双路100A Intelli-PhaseTM 解决方案，采用LGA-40 (6mmx6mm)封装

双路90A Intelli-PhaseTM 解决方案，采用LGA-40 (6mmx6mm)封装

采用 TLGA-30（4mm × 5mm）封装及Quiet SwitcherTM技术的 20A Intelli-PhaseTMDrMOS 解决方案

采用 LGA-33 (5.25mm x 5mm) 封装的 Intelli-PhaseTM 解决方案

集成HS-FET/LS-FET和驱动器的单片半桥 Intelli-PhaseTM 解决方案，采用 TLGA (5mmx5mm)封装

100A Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet Switcher™ 技术及 TLGA-34 (4mmx6mm) 封装

Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM技术和 TLGA-34 (4mmx6mm) 封装

100A Intelli-PhaseTMDrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM技术和 TLGA-34 (4mmx6mm) 封装

Intelli-PhaseTMDrMOS 解决方案，采用 TLGA-30 (4mmx5mm) 封装

20A Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM技术和 TLGA-27 (4mm x 5mm) 封装

90A Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM 技术和TLGA-41（5mm x 6mm）封装

80A Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM技术、5V PVCC以及TLGA-41 (5mmx6mm) 封装

90A、Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案，采用 Quiet SwitcherTM 技术、5V PVCC 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封装

采用 TLGA-41 (5mm x 6mm) 封装的 80A 耐辐射 Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案

16V、50A、Intelli-PhaseTM 解决方案，采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封装

集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器的 60A Intelli-PhaseTM 解决方案，采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装

具有内部功率 MOSFET 和栅极驱动器的 16V、70A、耐辐射单片半桥 Intelli-Phase TM 解决方案

60A Intelli-Phase ™解决方案，集成HS-FET、LS-FET 和驱动器并采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装

Intelli-Phase™ 解决方案，集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥

内置上下管MOSFET和驱动器的Intelli-PhaseTM 解决方案

集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器的Intelli-Phase™ 解决方案